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一种烟草漂浮育苗基质及育苗方法与流程
作者:百利宫   发布时间:2020-06-11 19:25

  烟草漂浮育苗的产生、发展与现状:漂浮育苗是为了节约土地资源,采用泡沫塑料制成育苗盘,将育苗盘的空穴中装入基质(人造土壤),然后将种子播种在基质内,最后将育苗盘移至盛有漂浮液的育苗池中完成整个育苗过程的技术,属于无土栽培范畴。其起源于国外,1988年由美国首先推出,后在巴西、津巴布韦等国家推广。我国于1996年率先在云南和湖北两省开展烟草漂浮育苗研究,2000年获得国家烟草专卖局立项,多家公司科研推广。

  至今我国已成功开发出了适合我国实际生产的烟草漂浮育苗技术体系和配套产品,漂浮育苗面积已占集约化育苗总面积的80%以上,更有部分产区已实现全漂浮育苗,与美国、巴西等同处于世界先进水平行列。

  有鉴于此,本发明的目的在于提出一种烟草漂浮育苗基质,基质原料易得、理化性能稳定、且易形成团聚结构的无不良根际效应的烟草漂浮育苗。

  一种烟草漂浮育苗基质,以重量百分比计,包括有机物料组分70%~85%以及天然矿物组分15%-30%,其中,所述有机物料组分包括草炭和腐熟植物秸秆,草炭和腐熟植物秸秆的比例为1:0.8-1.2;所述天然矿物组分包括珍珠岩和蛭石,珍珠岩和蛭石的比例为1:0.5-1.0,所述基质的pH值为5.0-7.0;所述基质粒径为1-5mm。

  作为优选地,本发明中,所述基质的总孔隙度为80-95%,容重范围为0.1-0.35g/cm3,电导率为不大于1000μS/cm。

  (1)建造苗棚,苗棚下方开挖育苗池,育苗池底部用除草剂和杀虫剂喷洒,然后用薄膜铺底,并在育苗池中注水;

  (2)格盘制备,格盘单穴溶剂为27mL,单钵呈倒梯台状,底部设置0.5cm-0.6cm;

  (4)格盘中均匀一致地采用上述基质装盘,基质使用前用水浸润使其含水量达到30%-40%,

  (6)出苗后施加浮选育苗专用肥,使育苗池水中氮素浓度达到100mg/kg,所述浮选育苗专用肥中N、P2O5、K2O按质量比1:(0.6-1.1):(2.5-3.0),在烟苗5-7片线次,使育苗池水中氮素浓度维持100mg/kg;

  (7)待烟苗长至距生长点3cm时进行剪叶,剪叶时减去烟苗叶片的1/3,共修剪3-5次;

  (8)移栽前7d-20d开始断水、断肥、昼夜通风炼苗,炼苗程度以烟苗不发生永久性枯萎为度,炼苗后进行移栽。

  作为优选地,本发明中,从播种到出苗,苗棚内温度为25℃-28℃,以获得最大出苗率,在烟苗大十字期前,苗棚内温度低于30℃,大十字期后,苗棚内温度低于35℃。

  本发明与现有技术相比具有的有益效果为:利用本发明的方法,可明显促进烟苗的生长发育,提高烟苗素质,且根系比常规漂浮育苗和沙培育苗发达。同时,本发明的方法有助于烟苗成苗素质的提升,促进烟株移栽后早生快发,并提高烤后烟叶的品质,提升烟草的经济收益。

  下面将结合本发明实施例,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。

  一种烟草漂浮育苗基质,以重量百分比计,包括有机物料组分70%~85%以及天然矿物组分15%-30%,其中,所述有机物料组分包括草炭和腐熟植物秸秆,草炭和腐熟植物秸秆的比例为1:0.8-1.2;所述天然矿物组分包括珍珠岩和蛭石,珍珠岩和蛭石的比例为1:0.5-1.0,所述基质的pH值为5.0-7.0;所述基质粒径为1-5mm,具体地,所述基质的总孔隙度为80-95%,容重范围为0.1-0.35g/cm3,电导率为不大于1000μS/cm。

  (1)建造苗棚,苗棚下方开挖育苗池,育苗池底部用除草剂和杀虫剂喷洒,然后用薄膜铺底,并在育苗池中注水;

  (2)格盘制备,格盘单穴溶剂为27mL,单钵呈倒梯台状,底部设置0.5cm-0.6cm;

  (4)格盘中均匀一致地采用实施例1中的基质装盘,基质使用前用水浸润使其含水量达到30%-40%,

  (6)出苗后施加浮选育苗专用肥,使育苗池水中氮素浓度达到100mg/kg,所述浮选育苗专用肥中N、P2O5、K2O按质量比1:(0.6-1.1):(2.5-3.0),在烟苗5-7片线次,使育苗池水中氮素浓度维持100mg/kg;

  (7)待烟苗长至距生长点3cm时进行剪叶,剪叶时减去烟苗叶片的1/3,共修剪3-5次;

  (8)移栽前7d-20d开始断水、断肥、昼夜通风炼苗,炼苗程度以烟苗不发生永久性枯萎为度,炼苗后进行移栽。

  作为优选地,本发明中,从播种到出苗,苗棚内温度为25℃-28℃,以获得最大出苗率,在烟苗大十字期前,苗棚内温度低于30℃,大十字期后,苗棚内温度低于35℃。

  以上所述仅为本发明的较佳实施例而已,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。

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